【太平洋科技快讯】近日，相关消息透露称高通正加速推进其 PC 处理器产品线，第二代骁龙 X Elite 芯片已进入最后开发阶段，预计将在今年 10 月的骁龙技术峰会上正式亮相。

据悉，第二代骁龙 X Elite 的加速频率将达到 4.4GHz，相较于第一代的 4.0-4.3GHz 有所提升。虽然基础频率和多核加速的具体细节尚未公布，但全新的架构设计将带来显著的性能提升。据估计，其性能增幅将在 18%-22% 之间。新一代芯片将采用第三代自研架构 Oryon V3，核心数量最多可达 18 个，为性能提升提供了强大的硬件基础。

第一代骁龙 X Elite 采用的是台积电 N4P 4nm 级工艺，而第二代芯片预计将升级至更先进的 3nm 级工艺。此外，第二代骁龙 X Elite 将直接封装 48GB 内存和 1TB SSD，有望显著提升设备的存储和数据处理能力，为用户带来更加流畅的使用体验。

随着性能的显著提升，第二代骁龙 X Elite 的功耗和发热也将相应增加。在内部测试中，甚至采用了 120mm 风扇的一体式水冷散热器。这意味着，在追求极致性能的同时，如何平衡功耗和散热将成为高通需要解决的关键问题。